安森德ASDM100R066NQ

采用SGT工藝，具有低開啟電壓、超低Rdson、Ciss小、開關(guān)速度快的特點，DFN5*6封裝散熱性能好，占用空間小，應(yīng)用穩(wěn)定，具有高功率密度、輸出線性好、能效高、溫升低等優(yōu)勢。

ASDM100R066NQ可替代

美國萬代(AOS)的AON6220/AON6224。

主要特點

先進的溝道MOS技術(shù)

低柵極電荷

100%EAS保證

綠色設(shè)備可用

N-MOS

耐壓100V

RDS(on)低至5.9mΩ

ID為68A

ASDM100R066NQ應(yīng)用

ASDM100R066NQ可應(yīng)用于

快充65W產(chǎn)品、臺式計算機的電源管理、電信和工業(yè)的隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器中。

ASDM100R066NQ已應(yīng)用于AUKEY傲基雙C口63W快充、雷柏氮化鎵快充充電器配備1A1C雙輸出口、聯(lián)想拯救者電競手機Pro專用雙C口充電器65W、倍思65W 2C1A氮化鎵快充充電器等眾多知名品牌的快充應(yīng)用中。